XXVII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' Н. Новгород, 13-16 марта, 2023 г.
Физика низкоразмерных структур

Квантовые эффекты при формировании двойниковой границы в Pb

С. И. Божко^a, А. С. Ксенз^a, Д. А. Фокин^b, А. М. Ионов<sup>a

a</sup> Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, 142432 Черноголовка, Москва, Россия
^b Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, 1005005 Москва, Россия

Аннотация: Расслоение наноостровков Pb на вицинальной поверхности Si(7 7 10) на слои толщиной 2 nm, обусловленное квантованием электронного спектра, подразумевает образование двумерных дефектов, разделяющих слои Pb. С помощью модельных расчетов в приближении теории функционала плотности показано, что минимальной энергией образования обладает двойниковая граница, энергия которой равна 15 meV/at. Установлено, что двойниковая граница формируется на стадии роста очередного слоя после образования слоя толщиной 2 nm, в котором образуется стоячая волна фермиевских электронов. На поверхности слоя меньшей толщины, где стоячей электронной волны нет, реализуется рост совершенной кристаллической структуры. Образование двойниковой границы между слоями Pb толщиной 2 nm начинается с формирования разреженного атомного монослоя пар атомов.

Ключевые слова: тонкие пленки, электронный рост, дефекты ГЦК кристаллов.

Поступила в редакцию: 31.03.2023
Исправленный вариант: 31.03.2023
Принята в печать: 31.03.2023