Эта публикация цитируется в 1 статье

XXVII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' Н. Новгород, 13-16 марта, 2023 г.
Физика низкоразмерных структур

Влияние комбинированного ионного и электронного облучения на полосу люминесценции 2 eV в гексагональном нитриде бора

Ю. В. Петров^a, О. А. Гогина^a, О. Ф. Вывенко^a, S. Kovalchuk^b, K. Bolotin<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
^b Free University of Berlin, 114195 Berlin, Germany

Аннотация: Точечные дефекты в широкозонных полупроводниках, в частности в гексагональном нитриде бора, являются перспективными кандидатами на роль источников одиночных фотонов, применяемых в квантовой информатике. Исследованы катодолюминесценция ионно-индуцированных дефектов в гексагональном нитриде бора, а также влияние продолжительного облучения электронами на интенсивность люминесценции. Показано, что интенсивность как зона-зонного, так и связанного с дефектами излучения уменьшается в результате облучения ионами, а в процессе последующего облучения электронами интенсивность полосы люминесценции 2 eV увеличивается, в то время как интенсивность остальных полос сохраняется.

Ключевые слова: катодолюминесценция, ионное облучение, электронное облучение, гексагональный нитрид бора.

Поступила в редакцию: 30.03.2023
Исправленный вариант: 30.03.2023
Принята в печать: 30.03.2023

DOI: 10.21883/JTF.2023.07.55746.62-23

Реферативные базы данных:

•