Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физические приборы и методы эксперимента

Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель

А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Ф. Ю. Солдатенков, Р. В. Левин, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведена разработка технологии переноса AlGaAs/GaAs-гетероструктур, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии, на GaAs-подложку-носитель с использованием серебросодержащей пасты или Au–In-компаунда. Исследован процесс формирования фронтального омического контакта к GaAs $n$-типа проводимости на основе контактных систем Au(Ge)/Ni/Au и Pd/Ge/Au с удельным переходным контактным сопротивлением (2–5)$\cdot$10$^{-6}$ $\Omega$ $\cdot$ cm$^2$. Выполнен анализ влияния технологии переноса гетероструктуры и процесса формирования фронтального омического контакта на параметры ИК светодиодов. Минимальное последовательное сопротивление светодиодов площадью 1 mm$^2$ составило 0.16 $\Omega$. Достигнуто значение оптической мощности 270 mW при токе 1.5 A.

Ключевые слова: AlGaAs/GaAs-гетероструктура, светодиод, перенос на подложку-носитель, Au–In-компаунд, омические контакты.

Поступила в редакцию: 23.06.2022
Исправленный вариант: 10.11.2022
Принята в печать: 11.11.2022

DOI: 10.21883/JTF.2023.01.54078.166-22

Реферативные базы данных:

•