Твердотельная электроника

Модель поведения МОП-структур при радиационно-термических обработках

О. В. Александров, С. А. Мокрушина

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработана количественная модель влияния радиационно-термических обработок на стойкость МОП-структур к ионизирующему облучению. В основе модели лежат реакции взаимодействия дырок, образующихся при ионизирующем облучении, с водородосодержащими и безводородными ловушками в подзатворном диэлектрике. Захват дырок водородосодержащими ловушками стимулирует разрыв водородной связи и превращение их в безводородные ловушки с меньшим сечением захвата. Модель позволила описать повышение радиационной стойкости МОП-структур при последовательных циклах облучение-отжиг при сохранении интегральной концентрации ловушек.

Ключевые слова: МОП-структуры, радиационно-термические обработки, ионизирующее облучение, радиационная стойкость.

Поступила в редакцию: 15.07.2024
Исправленный вариант: 19.09.2024
Принята в печать: 26.09.2024

DOI: 10.61011/JTF.2024.11.59101.234-24

Реферативные базы данных:

•