Физическая электроника

Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления

В. Н. Бессолов^a, М. Е. Компан^a, Е. В. Коненкова^a, Т. А. Орлова^a, С. Н. Родин^a, А. В. Соломникова<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197022 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света изучены слои AlN, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформированы симметричная V-образная наноструктура с размером элементов < 100 nm (подложка NP-Si(100)) и буферный слой AlN, полученный методом реактивного магнетронного напыления. Показано, что в процессе образования буферного слоя на начальной стадии роста осуществляется переход из симметричного состояния структурированной подложки в асимметричное состояние слоя. Обнаружено, что буферный слой, выращенный методом магнетронного напыления, находится в состоянии сжатия, а слой, выращенный методом газофазной эпитаксии, имеет меньшую величину растяжения, чем слой AlN, полученный непосредственно на NP-Si(100)-подложке. Сделано предположение, что такие текстурные буферные слои после магнетронного напыления содержат гексагональную и кубическую фазы AlN.

Ключевые слова: нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, реактивное магнетронное распыление.

DOI: 10.61011/JTF.2024.06.58135.296-23

Реферативные базы данных:

•