Исследование методом импедансной спектроскопии тандемных солнечных элементов на основе $c$-Si с верхним слоем нанокристаллов перовскитов CsPbBr$_3$ и CsPbI$_3$
Аннотация:
Представлены результаты исследований с использованием импедансной спектроскопии многослойных структур, состоящих из пленок нанокристаллов неорганических перовскитов CsPbI$_3$ и CsPbBr$_3$, которые были нанесены на поверхность солнечных элементов на основе кристаллического кремния ($c$-Si). Показано, что при одинаковых условиях графики импедансного отклика для обеих структур хорошо соответствуют модели эквивалентной схемы и включают последовательное сопротивление, сопротивление рекомбинации и геометрическую емкость, которая описывает параметры, возникающие из-за накопления заряда, сопротивления переноса заряда и/или наличия дополнительных межфазных электронных состояний. Обнаружено, что добавление слоя нанокристаллов CsPbI$_3$ усиливает фотоотклик при смещении, однако этот эффект сопровождается уменьшением проводимости. В свою очередь, добавление слоя нанокристаллов CsPbBr$_3$ подавляет фотоотклик при увеличении напряжения смещения, но улучшает фотоотклик при отсутствии напряжении смещения.
Полный текст:
PDF файл (891 kB)