Аннотация:
Выполнены исследования инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов на основе квантово-размерных гетероструктур AlGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с множественными квантовыми ямами в активной области и с внутренними отражателями: с брэгговским отражателем, дополненным либо “отражающим” слоем Al$_{0.9}$Ga$_{0.1}$As, либо тыльным серебряным зеркалом. Исследованы постростовые технологии двух типов: планарная технология изготовления светоизлучающих диодов с сохранением ростовой подложки $n$-GaAs и технология “переноса” выращенной гетероструктуры на пластину-носитель $p$-GaAs с последующим стравливанием ростовой подложки. Максимальная внешняя квантовая эффективность более 37% при токах 0.1–0.2 A получена в светоизлучающих диодах на основе гетероструктуры с брэгговским отражателем и дополнительным Ag-зеркалом, встроенным в светоизлучающих диодах методом переноса гетероструктуры на пластину $p$-GaAs с использованием серебросодержащей пасты. Максимальная мощность излучения 275 mW при токе 1.2 A достигнута в светоизлучающих диодах, полученных методом “переноса” с использованием сплава Au + In.
Полный текст:
PDF файл (392 kB)