RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2024, том 94, выпуск 1, страницы 156–159 (Mi jtf6698)

Физическая электроника

Модель отталкивательной десорбции ионов в поверхностной ионизации

И. И. Пилюгин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Построена модель десорбции ионов с поверхности полупроводника Na$_x$Au$_y$ в предположении отталкивания ионов от двойного электрического слоя зарядов плотности $\rho$ на поверхности, образующегося при слабом тянущем электрическом поле $E$. Показано, что в образовании двойного электрического слоя зарядов на поверхности не принимают участия носители из объема полупроводника. Новая модель десорбции ионов подтверждается обнаруженной экспериментальной зависимостью выхода ионов от температуры.

Ключевые слова: поверхностная ионизация, двойной электрический слой на поверхности, модель десорбции ионов.

Поступила в редакцию: 04.07.2023
Исправленный вариант: 02.11.2023
Принята в печать: 16.11.2023

DOI: 10.61011/JTF.2024.01.56914.165-23



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026