Аннотация:
В работе исследуется обменное рассеяние электронов на нейтральных донорных примесях в полупроводниках. Показано, что различие сечений в разных спиновых конфигурациях существенно при реалистичных значениях параметров и может играть важную роль в транспортных свойствах полупроводниковых гетероструктур. Обсуждается возможность использования механизма обменного рассеяния для ориентации спинов локализованных электронов и ядер при оптической накачке, что представляет интерес как для фундаментальных исследований, так и для развития спинтроники.
Поступила в редакцию: 30.09.2025 Исправленный вариант: 18.11.2025 Принята в печать: 20.11.2025