КВАНТОВАЯ ИНФОРМАТИКА

Асимптотический анализ квантового мемристора на ультрахолодном ионе $^{171}$Yb$^+$

И. А. Ковалишин^a, С. Ю. Стремоухов^bca, П. А. Форш^ba, Н. Н. Колачевский^db, К. Ю. Хабарова<sup>b

a</sup> Физический факультет, МГУ имени М.В.Ломоносова, 119991 Москва, Россия
^b Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
^c Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123182 Москва, Россия
^d Российский квантовый центр, 121205 Москва, Россия

Аннотация: Представлено аналитическое рассмотрение динамики населенности уровней квантового мемристора на ультрахолодных ионах $^{171}$Yb$^+$ в случае, когда импульсы воздействующих резонансных к переходам между уровнями лазерных полей существенно разделены во времени. Показано, что в этом случае динамика населенностей уровней, а также управляющий параметр мемристора могут быть вычислены аналитически. Сравнение полученных зависимостей с прямым численным решением системы уравнений для амплитуд населенностей уровней демонстрирует хорошее совпадение.

Поступила в редакцию: 05.11.2025
Исправленный вариант: 05.11.2025
Принята в печать: 06.11.2025

DOI: 10.7868/S3034576625120247