КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Когерентные фононы субтерагерцового диапазона частот в InAs/GaSb сверхрешетках

А. Ю. Клоков, Н. Ю. Фролов, А. И. Шарков, В. С. Кривобок, А. В. Клековкин, Г. Н. Ерошенко, И. И. Минаев

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Методами лазерной фотоакустики исследованы генерация и распространение когерентных фононов в короткопериодных InAs/GaSb сверхрешетках, выращенных на GaSb ($001$) подложках. Показано, что при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами на поверхность скола ($110$) возбуждаются когерентные фононы субтерагерцового диапазона частот, распространяющиеся под малым углом к поверхности ($110$) и эффективно взаимодействующие с электромагнитным излучением, поляризованным перпендикулярно слоям сверхрешетки. Выявленные особенности взаимодействия электромагнитного излучения со “свернутыми” фононными модами позволяют предложить новый метод локального контроля кристаллической структуры InAs/GaSb сверхрешеток, точность которого сопоставима с рентгеновскими методами.

Поступила в редакцию: 18.10.2025
Исправленный вариант: 31.10.2025
Принята в печать: 04.11.2025

DOI: 10.7868/S3034576625120197