Эта публикация цитируется в 1 статье

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Коллективный депиннинг и скольжение двумерного квантового электронного твердого тела в полупроводниках (Миниобзор)

А. А. Шашкин^a, С. В. Кравченко<sup>b

a</sup> Институт физики твердого тела, 142432 Черноголовка, Россия
^b Physics Department, Northeastern University, Boston, MA 02115, USA

Аннотация: Мы сообщаем о наблюдении двух различных пороговых значений на вольт-амперных характеристиках, сопровождающихся пиком широкополосного токового шума, возникающим между двумя пороговыми напряжениями, в изолирующем состоянии сильно взаимодействующих двумерных электронных систем. Эти эффекты наблюдались в кремниевых полевых транзисторах типа металл-оксид-полупроводник и гетероструктурах SiGe/Si/SiGe со сверхвысокой подвижностью. Феноменологическая теория коллективного депиннинга упругих структур может объяснить наблюдаемые результаты. Это свидетельствует об образовании электронного твердого тела в этих электронных системах и демонстрирует общность эффекта для различных классов двумерных электронных систем. Интересно, что двухпороговые вольт-амперные кривые, указывающие на образование электронного твердого тела при низких плотностях, не наблюдаются в режиме квантового холла. Отсутствие наблюдений не подтверждает существование квазичастичного квантового холловского вигнеровского твердого тела и указывает на то, что квазичастицы вблизи целочисленного заполнения не образуют независимой подсистемы.

Поступила в редакцию: 24.05.2025
Исправленный вариант: 12.08.2025
Принята в печать: 13.08.2025

DOI: 10.31857/S0370274X25090176