ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с внутрирезонаторной накачкой в квантовые ямы

А. А. Елшербини^a, В. И. Козловский^b, Я. К. Скасырский^b, М. П. Фролов<sup>b

a</sup> Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, 115409 Москва, Россия
^b Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Исследован впервые реализованный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с 25 квантовыми ямами, излучающий на длине волны 642.5 нм при внутрирезонаторной накачке в квантовые ямы излучением лазера на красителе с длиной волны 614.5 нм. Достигнута импульсная мощность $\sim$ 80 Вт при длительности импульса $\sim$ 0.5 мкс. Мощность ограничивается процессом разрушения структуры. Обнаружена временная модуляция излучения лазера на красителе с гетероструктурой внутри резонатора с периодом $\sim$ 6 нс равным времени обхода резонатора.

Поступила в редакцию: 03.06.2025
Исправленный вариант: 16.07.2025
Принята в печать: 17.07.2025

DOI: 10.31857/S0370274X25080148