В. П. Попов, В. А. Антонов, В. Е. Жилицкий, А. А. Ломов, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, “Термостабильный сегнетоэлектрик HfO$_2$ : Al$_2$O$_3$ (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением”, Письма в ЖЭТФ, 2025, том 121, выпуск 12,страницы 945

Эта публикация цитируется в 2 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Термостабильный сегнетоэлектрик HfO$_2$ : Al$_2$O$_3$ (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением

В. П. Попов^a, В. А. Антонов^a, В. Е. Жилицкий^a, А. А. Ломов^b, А. В. Мяконьких^b, К. В. Руденко^b

^a Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”– ФТИАН им. К.А.Валиева, 117218 Москва, Россия

Аннотация: Обнаруженная ранее в $10$–$20$ нм скрытом сегнетоэлектрическом слое HfO$_2$:Al$_2$O$_3$ ($10:1$) структур кремний-на-изоляторе и кремний-на-сапфире орторомбическая фаза $Pmn2_1$ после отжигов при ${T > 950\,^\circ}$C $1$ ч отсутствует после ступенчатых быстрых $30$ с термообработок по данным малоугловой рентгеновской дифракции (GIXRD). Вместо нее формируются стабильные до $1000^\circ$C напряженные текстурированные сегнетоэлектрические слои с ориентацией $\{$111$\}$ для подложек кремния и $\{$002$\}$ для сапфира соответственно в ромбоэдрической $\mathrm{r}R3$ или орторомбической $Pca2_1$ фазах, неразличимых по GIXRD дифрактограммам. В пользу ромбоэдрической фазы $\mathrm{r}R3$ свидетельствует большая остаточная поляризация в кремний-на-изоляторе структурах.

Поступила в редакцию: 07.04.2025
Исправленный вариант: 02.05.2025
Принята в печать: 03.05.2025

DOI: 10.31857/S0370274X25060144