КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Сверхбыстрая кинетика люминесценции и эффекты локализации неравновесных носителей в вырожденных слоях $n$-InGa

К. Е. Кудрявцев, Д. Н. Лобанов, М. А. Калинников, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник

Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН), 603087 Н.Новгород, Россия

Аннотация: В работе исследованы эффекты локализации неравновесных дырок в вырожденных эпитаксиальных пленках $n$-InGaN с высокой ($\sim$ 60 %) долей индия, излучающих в ближней инфракрасной области спектра. По данным спектроскопии фотолюминесценции с пикосекундным временным разрешением проведена характеризация энергетических масштабов хвостов зон, установлены энергия локализации и ширина распределения неравновесных дырок в случайном потенциальном рельефе. С учетом полученных параметров в рамках модели рекомбинации свободных электронов и локализованных дырок объясняются характер температурного гашения эмиссии и красный сдвиг длины волны генерации относительно спонтанного излучения.

Поступила в редакцию: 17.03.2025
Исправленный вариант: 24.03.2025
Принята в печать: 24.03.2025

DOI: 10.31857/S0370274X25040234

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2025, 121:8, 655–661