А. К. Звездин, М. А. Колюшенков, А. П. Пятаков, “Метамагнитный переход в ван-дер-ваальсовом антиферромагнетике”, Письма в ЖЭТФ, 2025, том 121, выпуск 7,страницы 605

Эта публикация цитируется в 1 статье

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Метамагнитный переход в ван-дер-ваальсовом антиферромагнетике

А. К. Звездин^ab, М. А. Колюшенков^c, А. П. Пятаков^c

^a Институт физики им. Х.И.Амирханова Дагестанского федерального исследовательского центра РАН, 367003 Махачкала, Россия
^b Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
^c Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, 119991 Москва, Россия

Аннотация: На примере двумерного антиферромагнитика – бислоя CrI$_3$ рассмотрена специфика метамагнитного перехода в ван-дер-ваальсовых антиферромагнетиках. Отдельное внимание уделено разновидности магнитоэлектрического эффекта, проявляющегося, как вызванный электрическим полем переход из антиферромагнитного в ферромагнитное состояние в магнитном поле смещения, близким к критическому полю перехода. В качестве механизма эффекта предложен линейный магнитоэлектрический эффект, разрешенный симметрией кристалла. На основе теоретико-группового подхода получена структура тензора магнитоэлектрического эффекта в CrI$_3$ и подобных ему кристаллах, предполагающая, что в окрестности спин-флоп перехода наряду с продольным возможен и поперечный магнитоэлектрический эффект, при условии уменьшения магнитной анизотропии до величин, сравнимых с полем межслойного обмена. Наличие поперечного магнитоэлектрического эффекта важно в контексте обнаружения электроиндуцированных гиромагнитных эффектов в ван-дер-ваальсовых материалах.

Поступила в редакцию: 01.02.2025
Исправленный вариант: 26.02.2025
Принята в печать: 26.02.2025

DOI: 10.31857/S0370274X25040106