Эта публикация цитируется в 2 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Природа локального спаривания носителей заряда в семействе высокотемпературных сверхпроводников на основе BaBiO$_3$ (Миниобзор)

А. П. Менушенков

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, 115409 Москва, Россия

Аннотация: Представлена модель локального спаривания носителей заряда в реальном пространстве в семействе висмутатных высокотемпературных сверхпроводящих оксидов, основанная на экспериментальных данных рентгеновской спектроскопии поглощения с использованием синхротронного излучения и излучения рентгеновского лазера на свободных электронах. Предложено объяснение природы двух энергетических щелей и диэлектрического состояния висмутата бария BaBiO$_3$, металлического состояния плюмбата бария BaPbO$_3$, фазовой диаграммы и появления сверхпроводимости при допировании BaBiO$_3$ свинцом и калием. Обсуждена возможность реализации как фононного, так и электронного механизма спаривания.

Поступила в редакцию: 10.02.2025
Исправленный вариант: 10.02.2025
Принята в печать: 27.02.2025

DOI: 10.31857/S0370274X25040081

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2025, 121:7, 562–571