В. Н. Меньшов, И. П. Русинов, Е. В. Чулков, “Собственный аномальный эффект Холла на поверхности магнитного полупроводника с сильным эффектом Рашба”, Письма в ЖЭТФ, 2025, том 121, выпуск 5,страницы 393

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Собственный аномальный эффект Холла на поверхности магнитного полупроводника с сильным эффектом Рашба

В. Н. Меньшов^a, И. П. Русинов^b, Е. В. Чулков^c

^a Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123182 Москва, Россия
^b Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 С.-Петербург, Россия

Аннотация: В настоящей работе мы теоретически изучаем, как рассеяние электронов на доменных стенках модифицирует аномальную поперечную проводимость на поверхности магнитного полупроводника с сильным эффектом Рашба. Зонная структура такого полупроводника, характеризуемая нетривиальной кривизной Берри, предопределяет возникновение на магнитной доменной стенке одномерного резонансного состояния в локальной обменной щели. При относительно слабом обменном расщеплении резонансное состояние имеет линейную дисперсию с малым спектральным уширением и обладает свойством киральности. Показано, что присутствие на поверхности пары параллельных доменных стенок может иметь вполне измеряемое физическое следствие: дополнительный почти полуквантованный вклад в аномальный эффект Холла. Поверхность полярного полупроводника BiTeI, допированного атомами переходного металла, является подходящей материальной платформой для обнаружения такого вклада.

Поступила в редакцию: 13.12.2024
Исправленный вариант: 07.01.2025
Принята в печать: 13.01.2025

DOI: 10.31857/S0370274X25030104