КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Зарядовые состояния одиночных квантовых точек в микрорезонаторной $p{-}n{-}p$ гетероструктуре со встроенной кулоновской блокадой

А. И. Галимов, Ю. М. Серов, М. В. Рахлин, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, Ю. А. Салий, Д. С. Березина, С. И. Трошков, Т. В. Шубина, А. А. Торопов

Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовано зарядовое состояние одиночных квантовых точек InAs/GaAs в микрорезонаторных $p{-}n{-}p$ гетероструктурах в условиях встроенной кулоновской блокады, индуцированной тонким слоем с $n$-типом проводимости, расположенным вблизи квантовых точек. Оптимальный профиль легирования и толщины слоев в гетероструктуре найдены аналитически путем решения уравнения Пуассона. Число и знак носителей заряда в одиночной квантовой точке определены экспериментальными исследованиями спиновой динамики и статистики однофотонного излучения при резонансном и квазирезонансном возбуждении. Показана возможность получения нейтральных и заряженных, положительно и отрицательно, квантовых точек с вероятностью, превышающей $90\,\%$, что открывает новые возможности для исследования оптических процессов в одиночных квантовых точках и их применения в квантовой фотонике.

Поступила в редакцию: 24.12.2024
Исправленный вариант: 27.12.2024
Принята в печать: 13.01.2025

DOI: 10.31857/S0370274X25030092

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2025, 121:5, 365–371