Эта публикация цитируется в 1 статье

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs

А. И. Веретенников^a, М. В. Рахлин^a, Ю. М. Серов^a, А. И. Галимов^a, Г. П. Вейшторт^a, С. В. Сорокин^a, Г. В. Климко^a, И. В. Седова^a, Н. А. Малеев^a, М. А. Бобров^a, А. П. Васильев^ab, А. Г. Кузьменков^a, М. М. Кулагина^a, Ю. М. Задиранов^a, С. И. Трошков^a, Ю. А. Салий^a, Д. С. Березина^a, Е. В. Никитина^ac, А. А. Торопов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр Микроэлектроники РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский Академический университет РАН, 194021 С.-Петербург, Россия

Аннотация: В работе реализован источник однофотонного излучения для телекоммуникационного С-диапазона на основе эпитаксиальных квантовых точек InAs/InGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Использование высококонтрастных распределенных брэгговских отражателей AlGaAs/GaAs и плазмохимического травления позволило изготовить микрорезонаторные структуры, расчетная эффективность вывода излучения из которых в числовую апертуру 0.7 составила 15 $\%$. Измеренное значение корреляционной функции второго порядка $g^{(2)}(0)$ составило 0.14 при средней интенсивности однофотонного излучения на первой линзе порядка 1 МГц. Полученные результаты свидетельствуют о возможности использования исследуемого источника однофотонного излучения в системах квантовой криптографии.

Поступила в редакцию: 06.12.2024
Исправленный вариант: 06.12.2024
Принята в печать: 07.12.2024

DOI: 10.31857/S0370274X25020037

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2025, 121:3, 170–174