ПЛАЗМА, ГИДРО- И ГАЗОДИНАМИКА

Ультрафиолетовая катодолюминесценция ионно-индуцированных дефектов в гексагональном нитриде бора

О. А. Гогина^ab, Ю. В. Петров^ba, О. Ф. Вывенко^b, С. Ковальчук^c, К. Болотин<sup>c

a</sup> Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 С.-Петербург, Россия
^c Free University of Berlin, 14195 Berlin, Germany

Аннотация: Гексагональный нитрид бора выделяют среди твердотельных материалов, обладающих люминесцентными свойствами, как материал для создания источников одиночных фотонов, эффективно излучающих уже при комнатной температуре. В настоящей работе продемонстрированно, что бомбардировка ионами гелия c дозами $1\cdot10^{14}{-}5\cdot10^{14}$ ион/cм$^2$ приводит к усилению интенсивности излучения ультрафиолетовой спектральной полосы с максимумом на длине волны 320 нм, обусловленному образованием новых центров люминесценции. Последующее облучение электронами способствует еще большему разгоранию люминесценции полосы 320 нм, что, по-видимому, связано с образованием углеродосодержащих дефектов объеме $h$BN по механизму рекомбинационно-усиленной миграции. Большие дозы облучения ионами гелия, напротив, стимулируют образование центров безызлучательной рекомбинации, уменьшающих время жизни неравновесных носителей заряда.

Поступила в редакцию: 04.09.2024
Исправленный вариант: 04.11.2024
Принята в печать: 17.11.2024

DOI: 10.31857/S0370274X25010013

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2025, 121:1, 1–7