КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Квазиклассическое рассеяние на краевых дефектах в топологических изоляторах в магнитном поле

А. Ш. Дотдаев^a, Я. И. Родионов^b, А. В. Рожков^b, П. Д. Григорьев<sup>c

a</sup> Национальный исследовательский технологический университет “МИСИС”, 119049 Москва, Россия
^b Институт теоретической и прикладной электродинамики, 125412 Москва, Россия
^c Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН, отделение в г. Москве

Аннотация: Для электронов, распространяющихся по краевым состояниям двухмерного (2D) топологического изолятора, мы изучаем рассеяние на краевых дефектах, неизбежно присутствующих в реалистичных образцах 2D топологического изолятора, в присутствии внешнего однородного магнитного поля. Магнитное поле нарушает симметрию обращения времени, разрушая топологическую защиту фермионных состояний. Независимо от формы краевой деформации и величины магнитного поля, рассеяние всегда является надбарьерным. В такой ситуации удобно воспользоваться квазиклассическим методом Покровского–Халатникова. Для широких классов аналитических профилей деформации это позволяет теоретически расчитать не только основной экспоненциальный вклад в амплитуду рассеяния, но и предэкспоненциальный множитель.

Поступила в редакцию: 28.08.2024
Исправленный вариант: 19.09.2024
Принята в печать: 21.09.2024

DOI: 10.31857/S0370274X24110086

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2024, 120:9, 675–686