Аннотация:
Рассматриваются вопросы достижимости высоких плотностей тока полевой эмиссии лишь на 2–4 порядка меньших предельных значений 10$^{15}$–10$^{16}$ А/м$^2$. Анализируются способы достижения таких токов, модели полевой эмиссии, а также эмиссионные структуры, обеспечивающие большие интегральные токи в ленточных электронных пучках. Показана достижимость больших значений плотностей тока порядка 10$^{10}$–10$^{12}$ А/м$^2$ в вакуумных квантовых структурах с двумя и более потенциальными ямами при резонансном туннелировании. Получение высокоточных источников сопряжено с созданием гетероструктур типа диэлектрик-проводник-диэлектрик-проводник и использованием низких температур. Хорошим материалом для диэлектрических пленок является аморфный алмаз (GLD), а для проводящих пленок – проводящий стеклоуглерод (GLC). Наиболее подходящей является CVD технология создания тонкопленочных структур типа GLD-GLC-CLD.
Полный текст:
PDF файл (1487 kB)