Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

Исследование возможности реализации среднечастотного широкополосного генератора качающейся частоты на структуре полуизолирующего арсенида галлия

А. И. Михайлов, И. О. Кожевников, А. В. Митин

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Показана принципиальная возможность получения качания частоты токовых колебаний в диапазоне низких и средних частот на основе возникающей в сильных электрических полях рекомбинационной неустойчивости тока в полуизолирующем арсениде галлия. В предложенном варианте конструкции экспериментального образца катодным контактом является мезаструктура, а анодным – точечный прижимной контакт. Перестройка частоты выходного сигнала осуществляется изменением интенсивности засветки лазерным диодом межконтактной области образца. Наличие практически линейного участка на зависимости частоты от интенсивности освещения, на котором также сохраняется постоянство амплитуды выходного сигнала, позволяет утверждать о возможности создания первичного генератора в составе генератора качающейся частоты (свип-генератора) на основе предложенного принципа.

Ключевые слова: генератор качающейся частоты, полуизолирующий арсенид галлия, рекомбинационная токовая неустойчивость.

УДК: 53.06

Поступила в редакцию: 09.04.2024
Принята в печать: 20.09.2024

DOI: 10.18500/1817-3020-2024-24-4-412-417