Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика

Гетерофазные полупроводники под действием излучений

А. Г. Роках, С. В. Стецюра, А. А. Сердобинцев

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского

Аннотация: В работе дана история и современное состояние исследований сублимированных в вакууме фотопроводящих гетерофазных пленок CdS-PbS. Пленки изготовлены из полупроводников, имеющих ограниченную взаимную растворимость. Найдены причины повышенной стойкости к деградации, в частности к радиации (облучение у-квантами и ускоренными электронами). Она объясняется отвлечением рекомбинационного потока от широкозонной фазы в узкозонную. В узкозонную фазу переходят также дефекты, образуемые облучением. Уменьшение количества дефектов в широкозонной фазе гетерофазного полупроводника в результате отвлечения рекомбинационного потока и радиационно-стимулированной диффузии ведет к расшатыванию кристаллической решетки узкозонной фазы. При облучении ионами средних энергий это приводит к увеличению выхода вторичных ионов ($Pb^+$) при освещении, то есть к вторично-ионному фотоэффекту, наблюдавшемуся и исследованному нами впервые. В статье также рассмотрена возможность использования нанотехнологий при создании наноразмерных включений в гетерофазном полупроводнике.

Ключевые слова: фотопроводящие гетерофазные пленки CdS-PbS, гетерофазный полупроводник, рекомбинационный поток.

УДК: 621.382+539.21

Поступила в редакцию: 18.06.2005

DOI: 10.18500/1817-3020-2005-5-1-92-102