Физика конденсированного состояния вещества

Фазовые изменения мультиферроидных магнитных материалов, применяемых в системах внешней памяти

Б. В. Хлопов^a, Г. В. Чучева^b, А. Б. Митягина<sup>b

a</sup> Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А. И. Берга
^b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники имени академика В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Представлен обзор исследований технологических основ мультиферроидных материалов с целью возможного их использования в устройствах экстренного уничтожения информации. Анализ характеристик материалов позволил уточнить их фазовые изменения от внешних воздействий и исследовать магнитные свойства. При рассмотрении магнитных свойств тонких пленок исследовались такие характеристики материалов, как коэрцитивная сила и намагниченность насыщения, а также их зависимость от технологических условий напыления (давление кислорода, скорость осаждения, температура), толщины пленки, процентного состава составляющих ее элементов, термообработки (отжиг) и микроструктуры пленки. Анализ свойств мультиферроидных материалов по уточнению электротехнических характеристик и физических свойств проведен на основе железосодержащих, кобальтсодержащих, барийсодержащих и редкоземельных переходных металлических сплавов, который позволил уточнить возможность и условия фазовых переходов материалов их магнитную восприимчивость к внешним магнитным и электромагнитным полям и разработать технологическое оборудование для исследования магнитных свойств образцов при воздействии внешних электромагнитных полей. Покозано, что фазовые переходы в мультиферроидных материалах, применяемых в тонкопленочных образцах, характеризуются двумя видами аллотропии, проявляющимися в наличии e-фазы гексагональной с плотной упаковкой структуры и $\alpha$-фазы гранецентрированной кубической структуры. Их соотношение и переход между ними зависят от чистоты, условий термообработки и скорости охлаждения. В материалах статьи рассмотрены свойства железосодержащих, кобальтсодержащих, барийсодержащих, аморфных тонкопленочных слоев систем записи и магнитные свойства кобальтохромовых тонкопленочных слоев. Анализ результатов позволяет сделать вывод о возможности создания оборудования с магнитной управляемой системой, обеспечивающей создание магнитных полей, напряженность которых превосходит значения коэрцитивной силы мультиферридных материалов, применяемых в существующих носителях информации. Экспериментальное подтверждение фазовых переходов в представленных материалах является предпосылкой для разработки устройств экстренного уничтожения информации с электронных носителей.

Ключевые слова: мультиферроидные материалы, фазовый переход, коэрцитивная сила, тонкопленочный образец, кристаллографическая ориентация.

УДК: 621.318.12

DOI: 10.18500/1817-3020-2017-17-1-33-43