Аннотация:
Гетероструктуры $n^{+}$-InAs/n$^{0}$-InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/$p$-InAsSbP с асимметричными отсечками зон на гетерограницах активной области были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках InAs. В прямой ветви вольтамперных характеристик полученных гетероструктур при низких температурах наблюдались участки с туннельной проводимостью. Проведен расчет зонной энергетической диаграммы двойной гетероструктуры InAs/InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP в диапазоне составов ($y<$ 0.2) узкозонной активной области. Было показано, что гетеропереход InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP является гетеропереходом II типа в данном диапазоне составов. Наблюдаемая в эксперименте электролюминесценция для гетероструктур $n^{+}$-InAs/$n^{0}$-InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/ $p$-InAsSbP с активной областью в интервале составов $y>$ 0.14 была обусловлена интерфейсными излучательными переходами с участием локализованных дырочных состояний на гетерогранице II типа.
Полный текст:
PDF файл (170 kB)
