Вторичная электронная эмиссия свинцово-силикатных стекол с точки зрения плазмонной теории эмиссии

А. М. Тютиков, А. Л. Шахмин

Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведен расчет коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол на основе ранее полученных экспериментальных результатов об электронной структуре валентной полосы и внутренних уровней этих стекол, Расчет, проведенный в предположении преобладания плазмонного механизма вторичной эмиссии для диэлектриков, показал хорошее совпадение с экспериментом и применимость плазмонной теории эмиссии к широкозонным стеклообразным диэлектрикам.

УДК: 537.533.8

Поступила в редакцию: 20.04.1992

Реферативные базы данных:

•