Когерентный фотогальванический эффект на внутризонных и межзонных оптических переходах

В. Л. Агафонов, В. И. Белиничер

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Предложена теория когерентного фотогальванического эффекта для внутризонных оптических переходов в полупроводниках с простой зоной и для межзонных оптических переходов в арсениде галлия. Произведен расчет и приведены оценки величины фототока.

Поступила в редакцию: 30.03.1992

Реферативные базы данных:

•