Параметры туннельных состояний в халькогенидах свинца

Ю. И. Равич, И. А. Черник, А. В. Березин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Анализ обнаруженной ранее аномальной шоттковской низкотемпературной теплоемкости в PbS, PbSe и PbTe дает параметры туннельных состояний вакансий. Полученная концентрация туннельных дефектов существенно зависит от степени вырождения возбужденных состояний туннельных дефектов. Путем прямого решения секулярного уравнения в рамках простой модели деформации окружения вакансии показано, что возбужденное состояние вырождено трехкратно. В качестве причины падения отношения концентрации шоттковских дефектов к концентрации вакансий обсуждается слабое взаимодействие вакансий, расположенных на расстоянии порядка 10 постоянных решетки друг от друга.

УДК: 536.631

Поступила в редакцию: 18.03.1992

Реферативные базы данных:

•