Прямое измерение решеточного и дефектного вкладов в спин-решеточную релаксацию квадрупольных ядер в кристаллах GaAs и NaI

П. Ю. Ефиценко, И. Мавлоназаров, В. М. Микушев, Е. В. Чарная

Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: На примере кристаллов GaAs и NaI демонстрируется эффект подавления дефектного вклада в ядерную спин-решеточную релаксацию и проводится разделение дефектного и решеточного вкладов, основанное на использовании вариантов двойных ядерных резонансов — квадрупольного насыщения линии ЯМР электрическим и акустическим полями.

Поступила в редакцию: 23.01.1992

Реферативные базы данных:

•