Аппроксимация экспериментальных ВАХ кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ с помощью аналитических приближений теории ТОПЗ

Л. К. Бунина, А. Ю. Кудзин, Г. Х. Соколянский, А. С. Юдин

Днепропетровский государственный университет

Аннотация: Исследованы особенности экспериментальных ВАХ структуры М$-$силленит$-$М. Показано, что вид ВАХ характерен для ТОПЗ при квазинепрерывном распределении локализованных состояний в широкой запрещенной зоне полупроводника. Рассмотрен вопрос о дискриминации типов инжекции носителей заряда из электрода в объем полупроводника. Показано, что существуют условия (интервал толщин, напряжений, температур), при которых доминирующей является монополярная инжекция и ВАХ хорошо описываются аналитическими приближениями теории ТОПЗ гауссовского распределения ловушек. Определены параметры гауссовского распределения для силлеинтов.

УДК: 537.226

Поступила в редакцию: 05.08.1991

Реферативные базы данных:

•