Об излучении коротковолновых фононов при туннелировании. II

Э. М. Баскин, Л. С. Брагинский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Показано, что благодаря закону сохранения импульса вероятность неупругих процессов с испусканием коротковолнового фонона при туннелировании через гладкий барьер относительно мала и введение примесей позволяет увеличить соответствующие вероятности.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 17.06.1991

Реферативные базы данных:

•