Об излучении коротковолновых фононов при туннелировании. I

Э. М. Баскин, Л. С. Брагинский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В работе обоснована возможность использования приближения туннельного гамильтониана для описания процессов неупругого туннелирования, а также анализируется выражение для туннельного спектра при учете электрон-фононного взаимодействия; показано, что особенности функции электрон-фононного взаимодействия воспроизводятся в туннельном спектре.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 17.06.1991

Реферативные базы данных:

•