Аннотация:
Проведенные исследования структурных, магнитных и электрических свойств монокристаллов системы MnAs$_{1-x}$P$_{x}$ ($x \leqslant 0.2$) показали, что высокотемпературный фазовый переход 2-го рода на линии $T_{t}$ является магнитным типа беспорядок$-$порядок, а последовательность структурно-магнитных фазовых переходов 1-го рода в температурном интервале от $T_{f}' = 240$ K до $T_{t} = 350$ K определяется упорядочением статических смещений атомов и магнитных моментов. Установлено, что магнитное состояние вещества во многом определяется дефектностью кристаллов. Сильно дефектные кристаллы характеризуются изотропным ферромагнитным состоянием, а для «идеальных» характерно антиферромагнитное упорядочение с модулированным $H_{a}$ и угловым $C$ расположением магнитных моментов.
Поступила в редакцию: 03.04.1991 Исправленный вариант: 19.06.1991