Диодные эффекты в полупроводниковых слоях, обогащенных носителями

Э. Л. Нагаев, А. И. Подельщиков

Научно-производственное объединение "Квант", г. Москва

Аннотация: Построена ВАХ системы, состоящей из двух металлических пленок с разными работами выхода, разделенных изолирующей прослойкой. Носители тока появляются в ней за счет контактного легирования. Такая система моделирует островковую металлическую пленку с градиентом размеров частиц, нанесенную на изолирующую подложку. Показано, что эта ВАХ существенно нелинейна, причем степень нелинейности возрастает с ростом разности энергий Ферми металлических пленок. В отличие от обычных диодов металл$-$полупроводник в рассматриваемой системе металл увеличивает концентрацию электронов в приконтактной области полупроводника.

УДК: 539.21

Поступила в редакцию: 28.05.1991

Реферативные базы данных:

•