Аннотация:
На основе изучения распределения микродефектов по картинам селективного травления в сопоставлении с данными расчета температурного профиля вдоль растущего слитка в зависимости от скорости роста определены температуры образования микродефектов в бестигельных монокристаллах кремния диаметром ${\sim30}$ мм. Предложен механизм образования микродефектов в таком кремнии, основанный на учете взаимодействия преимущественного типа собственных точечных дефектов с остаточными ростовыми примесями (атомами кислорода и углерода).