Роль дефектов и спиновой диффузии в электрическом насыщении линии ЯМР в кристаллах GaAs

А. А. Кулешов, В. М. Микушев, А. Л. Столыпко, Е. В. Чарная, В. А. Шутилов

Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова

Аннотация: В режиме стационарного насыщения линии ЯМР переменным электрическим полем резонансной частоты выделен вклад точечных дефектов в механизм квадрупольного взаимодействия ядерных спинов с деформациями решетки для легированных кристаллов GaAs.
При исследовании зависимости фактора насыщения от длительности электрического воздействия показано, что в отличие от чистых и легированных хромом образцов GaAs в кристаллах, легированных медью, существенную роль в процессе насыщения играет спиновая диффузия.

УДК: 539.143.43

Поступила в редакцию: 17.03.1986

Реферативные базы данных:

•