Влияние температуры на образование $F_{2}$-центров в результате перезарядки $F_{2}^{+}$-центров

Л. А. Лисицына, В. А. Кравченко, В. И. Рейтеров

Томский инженерно-строительный институт

Аннотация: Методами импульсной люминесцентной и абсорбционной спектрометрии с наносекундным временным разрешением исследован процесс образования $F_{2}$-центров при локализации электронов на предварительно созданных в кристалле $F_{2}^{+}$-центрах. Обнаружено, что система ($F_{2}^{+}+e$) может находиться в излучательном синглетном и триплетном состояниях, последующие переходы из которых приводят к образованию $F_{2}$-центров в основном синглетном состоянии с постоянными времени $\tau_{1}\lesssim 2\cdot 10^{-8}$ и $\tau_{2}=2.5\cdot 10^{-2}$ с при 80 K. Установлено, что температурные зависимости эффективностей образования различных спиновых состояний $F_{2}$-центров в интервале 80$-$300 K имеют антисимбатный характер при постоянном выходе общего числа $F_{2}$-центров, образованных при локализации электронов на $F_{2}$-центрах. В области 80 K преобладает образование $F_{2}$-центров в излучательном синглетном состоянии.

Поступила в редакцию: 23.04.1990

Реферативные базы данных:

•