Об условиях существования «самораспространяющегося»заглубленного расплава

С. Ю. Карпов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Предложена модель самораспространяющегося заглубленного расплава, возникающего при плавлении аморфных полупроводников наносекундными лазерными импульсами. Рассмотрены необходимые условия его существования. Показано, что скорость распространения заглубленного расплава ограничена сверху значением 14$-$16 м/с. Продемонстрирована связь характеристик расплава (скорость распространения, толщина) с кинетическими коэффициентами плавления и кристаллизации материала. Рассмотрена устойчивость заглубленного расплава.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 14.02.1990