Дислокационное поглощение ультразвука в упругодеформированных кристаллах CsI

А. М. Петченко

Харьковский институт инженеров коммунального строительства

Аннотация: Исследовано влияние статического нагружения на затухание продольных упругих волн частотой 7.5 МГц в кристаллах CsI при 300$-$425 K. Установлены зависимости средней длины дислокационного сегмента и концентрации примесей на дислокациях от температуры, а также энергии активации и активационного объема от напряжения сдвига. Найдена величина энергии связи центров закрепления с дислокацией. Проведено сравнение полученных результатов с имеющимися теоретическими и экспериментальными данными.

УДК: 548.4:543.8

Поступила в редакцию: 05.11.1990
Исправленный вариант: 13.12.1990

Реферативные базы данных:

•