Гиперкомбинационное и многофотонное рассеяние через биэкситонные состояния в кристаллах PbI$_{2}$, HgI$_{2}$

М. С. Бродин, В. Н. Кадан, М. Г. Мацко, В. М. Рыбак

Институт физики АН УССР, г. Киев

Аннотация: Исследовалось гиперкомбинационное рассеяние (ГКР) через биэкситонные состояния в кристаллах PbI$_{2}$, HgI$_{2}$. Значение энергии поперечного экситона, при котором экспериментальная зависимость энергии кванта рассеянного излучения $\hbar\omega_{R}$ от энергии кванта возбуждения $\hbar\omega_{\text{в}}$ наилучшим образом описывается теоретической моделью, составляет ${2.4982\pm0.0004}$ эВ для PbI$_{2}$ и ${2.3348\pm0.0004}$ эВ для HgI$_{2}$. Обнаружены спектральные линии $S$, соответствующие процессу каскадного трехфотонного рассеяния, при котором излучение стимулированной линии ГКР участвует совместно с возбуждающим излучением еще в одном акте ГКР. Экспериментальная зависимость $\hbar\omega_{S}$ от $\hbar\omega_{\text{в}}$ хорошо согласуется с теоретической зависимостью.

УДК: 535.343.2

Поступила в редакцию: 28.01.1986
Исправленный вариант: 29.04.1986

Реферативные базы данных:

•