Аннотация:
Приведены спектры поверхностной фотоэдс $p$-InP (100) после термической очистки поверхности полупроводника в сверхвысоком вакууме и после нанесения на очищенную поверхность субмоноатомных слоев меди. На спектрах фотоэдс имеются длинноволновые части (${h\nu <E_{g}}$), связанные с возбуждением дырок с поверхностных состояний (ПС) в валентную зону. Определена энергия ионизации $E_{i}$ ПС, возникающих при адсорбции Cu на InP. Показано, что при толщине слоя меди ${d=0.54\div2}$ Å $E_{i}$ не зависит от толщины адсорбата и равна 0.73 эВ.
УДК:
621.383.5:537.312
Поступила в редакцию: 17.04.1990 Исправленный вариант: 26.06.1990