Угловая зависимость выхода вторичных излучений в условиях многоволновой дифракции рентгеновских лучей

В. Г. Кон

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова

Аннотация: Получены общие формулы, описывающие угловую зависимость выхода различных вторичных излучений, таких как внешние и внутренние фотоэлектроны, флуоресцентные, тепловые диффузные и комптоновские кванты, в условиях многоволновой дифракции рентгеновских лучей в совершенном кристалле и в кристалле с нарушенным поверхностным слоем. Детально описана схема расчета для совершенного кристалла при регистрации вторичного излучения как с входной, так и с выходной поверхности. Показано, что при дифракции в Лауэ-геометрии и регистрации вторичного излучения с выходной поверхности кристалла важную роль играет эффект аномально слабого поглощения, проявляющийся различным образом в зависимости от конкретных условий. Проведен расчет угловой зависимости внешнего фотоэффекта в этом случае для 4-волновой (220/400/2\=20) дифракции CuK$_{\alpha}$ излучения в Si. Интенсивность внешнего фотоэффекта с выходной поверхности в условиях аномального прохождения резко возрастает при наличии на ней аморфного слоя с толщиной, превышающей глубину выхода фотоэлектронов.

УДК: 548.732

Поступила в редакцию: 04.04.1986

Реферативные базы данных:

•