Возникновение периодических диссипативных структур дефектов в примесных кристаллах под облучением

В. И. Сугаков, П. А. Селищев

Институт ядерных исследований АН УССР, г. Киев

Аннотация: Исследуется устойчивость пространственно-однородного распределения дефектов, создаваемых потоком частиц в кристаллах с насыщающимися стоками, при наличии упругого взаимодействия между дефектами. Показано, что при критических параметрах однородное распределение неустойчиво по отношению к образованию периодической структуры плотности дефектов. Определены критические параметры, найден период образовавшейся структуры, его зависимость от условий облучения (скорости создания смещений, температуры) и свойств кристалла (концентрации примеси, упругих постоянных).

УДК: 536.755.621.039:539

Поступила в редакцию: 24.01.1986

Реферативные базы данных:

•