Краткие сообщения

Релаксация импульса фотоэлектронов на поверхности GaAs в эффекте магнитоиндуцированной поляризационно-зависимой фотопроводимости

В. Л. Альперович, А. О. Минаев, Н. С. Рудая, А. С. Терехов

Институт физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск

УДК: 621.315

Поступила в редакцию: 14.12.1989

Реферативные базы данных:

•