Двухзонный пиннинг уровня Ферми на поверхности полупроводника

В. А. Киселев

Институт ядерной физики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Двухзонный пиннинг уровня Ферми можно ожидать при инверсии типа проводимости на поверхности полупроводника, которая приводит к взаимной компенсации двух конкурирующих реакций заряжения поверхности. Обсуждается принципиальный вопрос теории пиннинга — об энергетическом положении закрепляющих поверхностных уровней, индуцируемых нанесением постороннего вещества на поверхность. Рассматриваются случаи осаждения электроположительных и электроотрицательных (по отношению к полупроводнику) атомов на материалы $n$- и $p$-типов. Развитые представления дают возможность понять причины возникновения изгиба зон и пиннинга в случае нанесения электроположительных атомов на поверхности как $n$-, так и $p$-типов. Существенным для n-типа является возникновение дипольного слоя. Для хемисорбции электроотрицательных атомов (О, S, С1) на $p$-типе изгиб зон не возникает, что объясняется отсутствием (малостью) поверхностных диполей.

УДК: 537.311.822

Поступила в редакцию: 12.07.1989

Реферативные базы данных:

•