Деформационные потенциалы и симметрия валентной зоны в 6$H$SiC

И. С. Горбань, А. П. Крохмаль, И. А. Рожко

Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: В кристаллах 6$H$SiC $n$-типа при ${T=4.5}$ K проведены исследования линий поглощения $R_{01}S_{01}$, $R_{02}S_{02}$, $R_{03}S_{03}$, обусловленных возбуждением экситонов, связанных с нейтральными неэквивалентными донорами (азотом), при одноосной деформации сжатия вдоль различных кристаллофизических осей. Однозначно установлено, что линии $R_{03}S_{03}$ обусловлены возбуждением экситонов, связанных с нейтральными донорами, в состав которых входят дырки из нижней, кристаллически отщепленной валентной зоны $C$. Определена симметрия валентных зон в 6$H$SiC: $\Gamma_{9}$ (А), $\Gamma_{8}$ (В), $\Gamma_{8}$ (С) и получено пять констант тензора деформационного потенциала.

УДК: 535.3:546.281'261

Поступила в редакцию: 02.01.1989
Исправленный вариант: 07.07.1989

Реферативные базы данных:

•