Аннотация:
Предложена микроскопическая модель фотопереноса заряда в рубине, основанная на туннельных переходах из фотовозбужденного $^{2}E$-состояния иона Сr$^{3+}$ в вибронные состояния центра «Сr$^{4+}$ + электрон в состоянии большого радиуса», в котором имеет место деформация решетки. При этом существенный вклад в деформацию решетки вносит псевдоэффект Яна$-$Теллера на остовном ионе Сr$^{4+}$. Последующий перенос заряда на соседний ион Сr$^{4+}$ осуществляется при прыжковых переходах электрона между состояниями большого радиуса, соответствующими различным остовам-ионам Сr$^{4+}$, либо при переходах в туннельные состояния большого радиуса, локализованные на двух соседних остовах-ионах Сr$^{4+}$. Рассматриваемая микроскопическая модель фотопереноса заряда в рубине позволила объяснить основные результаты эксперимента. При этом была интерпретирована ранее не находившая объяснения слабая концентрационная зависимость поперечного фототока.
Полный текст:
PDF файл (1748 kB)