Влияние дефектов структуры на угловое распределение рентгеновской дифракции в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем

В. А. Бушуев

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: В рамках статистической динамической теории дифракции рассмотрено влияние дефектов структуры в нарушенном поверхностном слое совершенных полупроводниковых кристаллов на угловую зависимость когерентного и некогерентного (диффузного) рассеяния рентгеновских лучей. На примере эпитаксиальной пленки с дефектами кластерного типа показано, что диффузная компонента рассеяния существенным образом изменяет интенсивность и профиль кривой дифракционного отражения. Исследована зависимость углового распределения дифракции от размера и концентрации дефектов в поверхностном слое, от его толщины и величины деформации.

УДК: 548.732

Поступила в редакцию: 10.05.1989

Реферативные базы данных:

•